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电子元器件详细资料 » IC[33706] » ZXMC3AMCTA
型号:ZXMC3AMCTA类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-WDFN 裸露焊盘描述:MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN
系列-
制造商Diodes Inc
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.9A,2.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C120 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs3.9nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds190pF @ 25V
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装8-DFN(3x2)
包装剪切带 (CT)

供应商

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